UPA800T-T1
제조 업체:
셀
설명:
RF 트랜스 2 NPN 10V 8GHZ 6SO
분류:
반도체
사양
분류:
개별 반도체 제품 트랜지스터 양극(BJT) 양극 RF 트랜지스터
경향 - 수집기 (Ic) (맥스):
35mA
제품 상태:
구식
트랜지스터형:
(이원적인) 2 NPN
장착형:
표면 마운트
주파수 - 변화:
8GHz
패키지:
테이프 & 롤 (TR)
절단 테이프 (CT)
디기 릴®
시리즈:
-
전압 - 수집기 방출기 고장 (맥스):
10V
공급자의 장치 패키지:
6-SO
Mfr:
셀
소음 지수 (Ｆ에 있는 dB Typ):
10.9dB ~ 3.2dB @ 2GHz
전원 - 맥스:
200 밀리와트
이득:
-
패키지 / 케이스:
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
작동 온도:
150' Ｃ (TJ)
Ic, 프스에 있는 직류 전류 이득 (hFE) (민):
80 @ 5mA, 3V
기본 제품 번호:
UPA800
소개
RF 트랜지스터 2 NPN (두중) 10V 35mA 8GHz 200mW 표면 마운트 6-SO
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