사양
분류:
개별 반도체 제품 트랜지스터 양극(BJT) 양극 RF 트랜지스터
경향 - 수집기 (Ic) (맥스):
50mA
제품 상태:
구식
트랜지스터형:
NPN
장착형:
표면 마운트
주파수 - 변화:
14.5GHz
패키지:
스트립
시리즈:
-
전압 - 수집기 방출기 고장 (맥스):
6V
공급자의 장치 패키지:
-
Mfr:
셀
소음 지수 (F에 있는 dB Typ):
1.5dB @ 2GHz
전원 - 맥스:
200 밀리와트
이득:
12dB
패키지 / 케이스:
TO-253-4, TO-253AA
작동 온도:
150' C (TJ)
Ic, 프스에 있는 직류 전류 이득 (hFE) (민):
75 @ 20mA, 3V
소개
RF 트랜지스터 NPN 6V 50mA 14.5GHz 200mW 표면 마운트
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