사양
분류:
개별 반도체 제품 트랜지스터 양극(BJT) 양극 RF 트랜지스터
경향 - 수집기 (Ic) (맥스):
65mA
제품 상태:
구식
트랜지스터형:
NPN
장착형:
표면 마운트
주파수 - 변화:
9GHz
패키지:
테이프 & 릴 (TR)
컷 테이프 (CT)
시리즈:
-
전압 - 수집기 방출기 고장 (맥스):
10V
공급자의 장치 패키지:
SOT-143R
Mfr:
셀
소음 지수 (F에 있는 dB Typ):
1.2dB ~ 2dB @ 1GHz
전원 - 맥스:
200 밀리와트
이득:
13.5dB
패키지 / 케이스:
SOT-143R
작동 온도:
150' C (TJ)
Ic, 프스에 있는 직류 전류 이득 (hFE) (민):
50 @ 7mA, 3V
기본 제품 번호:
NE68139
소개
RF 트랜지스터 NPN 10V 65mA 9GHz 200mW 표면 마운트 SOT-143R
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