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PBSS4350SPN115

제조 업체:
넥스페리아 미국 Inc.
설명:
트랜스 NPN/PNP 50V 2.7A 8SO
분류:
반도체
사양
분류:
개별 반도체 제품 트랜지스터 양극성(BJT) 양극성 트랜지스터 어레이
경향 - 수집기 (Ic) (맥스):
2.7A
제품 상태:
구식
트랜지스터형:
NPN, PNP
장착형:
표면 마운트
주파수 - 변화:
-
패키지:
테이프 & 롤 (TR) 절단 테이프 (CT) 디기 릴®
시리즈:
-
Ib, Ic에 있는 프스 포화 (맥스):
340mV @ 270mA, 2.7A / 370mV @ 270mA, 2.7A
전압 - 수집기 방출기 고장 (맥스):
50V
공급자의 장치 패키지:
8-SO
Mfr:
넥스페리아 미국 Inc.
경향 - 집전기 절단 (맥스):
100nA
전원 - 맥스:
750mW
패키지 / 케이스:
8-SOIC (0.154", 3.90mm 너비)
작동 온도:
150' C (TJ)
Ic, 프스에 있는 직류 전류 이득 (hFE) (민):
300 @ 1A, 2V / 180 @ 1A, 2V
기본 제품 번호:
PBSS4350
소개
양극 (BJT) 트랜지스터 배열 NPN, PNP 50V 2.7A 750mW 표면 마운트 8-SO
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