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PBSS5112PAP115

제조 업체:
넥스페리아 미국 Inc.
설명:
트랜스 2PNP 120V 1A 6HUSON
분류:
반도체
사양
분류:
개별 반도체 제품 트랜지스터 양극성(BJT) 양극성 트랜지스터 어레이
경향 - 수집기 (Ic) (맥스):
1A
제품 상태:
액티브
트랜지스터형:
2 PNP(이중)
장착형:
표면 마운트
주파수 - 변화:
100MHz
패키지:
테이프 & 롤 (TR) 절단 테이프 (CT) 디기 릴®
시리즈:
자동차, AEC-Q100
Ib, Ic에 있는 프스 포화 (맥스):
480mV @ 100mA, 1A
전압 - 수집기 방출기 고장 (맥스):
120V
공급자의 장치 패키지:
6-휴슨(2x2)
Mfr:
넥스페리아 미국 Inc.
경향 - 집전기 절단 (맥스):
100nA (ICBO)
전원 - 맥스:
510mW
패키지 / 케이스:
6-UFDFN 노출된 패드
작동 온도:
150' C (TJ)
Ic, 프스에 있는 직류 전류 이득 (hFE) (민):
50 @ 500mA, 2V
기본 제품 번호:
PBSS5112
소개
양극 (BJT) 트랜지스터 배열 2 PNP (두중) 120V 1A 100MHz 510mW 표면 마운트 6-HUSON (2x2)
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