HFA3096B
제조 업체:
레네사스 일렉트로닉스 아메리카
설명:
RF 트랜스 NPN/PNP 5D.5GHZ 16SOIC
분류:
반도체
사양
분류:
개별 반도체 제품 트랜지스터 양극(BJT) 양극 RF 트랜지스터
경향 - 수집기 (Ic) (맥스):
65mA
제품 상태:
구식
트랜지스터형:
NPN 3개 + PNP 2개
장착형:
표면 마운트
주파수 - 변화:
8GHz, 5.5GHz
패키지:
-
시리즈:
-
전압 - 수집기 방출기 고장 (맥스):
12V, 15V
공급자의 장치 패키지:
16-SOIC
Mfr:
레네사스 일렉트로닉스 아메리카
소음 지수 (Ｆ에 있는 dB Typ):
3.5dB @ 1GHz
전원 - 맥스:
150mW
이득:
-
패키지 / 케이스:
16 SOIC (0.154 ", 3.90 밀리미터 폭)
작동 온도:
150' Ｃ (TJ)
Ic, 프스에 있는 직류 전류 이득 (hFE) (민):
40 @ 10mA, 2V / 20 @ 10mA, 2V
기본 제품 번호:
HFA3096
소개
RF 트랜지스터 3 NPN + 2 PNP 12V, 15V 65mA 8GHz, 5.5GHz 150mW 표면 장착 16-SOIC
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