2SC3357-T1-A
제조 업체:
레네사스 일렉트로닉스 아메리카
설명:
RF 0.1A, 초고주파 대역
분류:
반도체
사양
분류:
개별 반도체 제품 트랜지스터 양극(BJT) 양극 RF 트랜지스터
경향 - 수집기 (Ic) (맥스):
100mA
제품 상태:
액티브
트랜지스터형:
NPN
장착형:
표면 마운트
주파수 - 변화:
6.5GHz
패키지:
대용품
시리즈:
-
전압 - 수집기 방출기 고장 (맥스):
12V
공급자의 장치 패키지:
SOT-89
Mfr:
레네사스 일렉트로닉스 아메리카
소음 지수 (Ｆ에 있는 dB Typ):
1.8dB @ 1GHz
전원 - 맥스:
1.2W
이득:
10dB
패키지 / 케이스:
TO-243AA
작동 온도:
150' Ｃ (TJ)
Ic, 프스에 있는 직류 전류 이득 (hFE) (민):
50 @ 20mA, 10V
소개
RF 트랜지스터 NPN 12V 100mA 6.5GHz 1.2W 표면 마운트 SOT-89
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