W631GG8NB-11 TR
제조 업체:
윈본드 전자공학
설명:
IC DRAM 1GBIT SSTL 15 78VFBGA
분류:
집적 회로 IC
입하됩니다:
10000
사양
분류:
융합 회로 (IC)
기억력
기억력
메모리 용량:
1Gbit
제품 상태:
액티브
장착형:
표면 마운트
패키지:
테이프 & 롤 (TR)
시리즈:
-
프로그램 가능한 디기키:
확인되지 않았습니다.
기억기접합:
SSTL_15
페이지, 순환 주기 - 단어 씁니다:
15 나노 초
공급자의 장치 패키지:
78-VFBGA (8x10.5)
기억 영역형:
휘발성 물질
Mfr:
윈본드 전자공학
클럭 주파수:
933 마하즈
전압 - 공급:
1.425V ~ 1.575V
엑세스 시간:
20 나노 초
패키지 / 케이스:
78-VFBGA
메모리구성:
128M Ｘ 8
작동 온도:
0' Ｃ ~ 95' Ｃ (TC)
기술:
SDRAM - DDR3
기본 제품 번호:
W631GG8
메모리 포맷:
DRAM
소개
SDRAM - DDR3 메모리 IC 1Gbit SSTL_15 933 MHz 20 ns 78-VFBGA (8x10.5)
관련 제품
| 이미지 | 부분 # | 설명 | |
|---|---|---|---|
|
|
W631GU6NB-15 |
IC DRAM 1GBIT PAR 96VFBGA
|
가격 요구를 보내세요
주식:
10000
MOQ: