W631GU6NB-15
제조 업체:
윈본드 전자공학
설명:
IC DRAM 1GBIT PAR 96VFBGA
분류:
집적 회로 IC
입하됩니다:
10000
사양
분류:
융합 회로 (IC)
기억력
기억력
메모리 용량:
1Gbit
제품 상태:
액티브
장착형:
표면 마운트
패키지:
트레이
시리즈:
-
프로그램 가능한 디기키:
확인되지 않았습니다.
기억기접합:
대비
페이지, 순환 주기 - 단어 씁니다:
15 나노 초
공급자의 장치 패키지:
96-VFBGA (7.5x13)
기억 영역형:
휘발성 물질
Mfr:
윈본드 전자공학
클럭 주파수:
667 마하즈
전압 - 공급:
1.283V ~ 1.45V, 1.425V ~ 1.575V
엑세스 시간:
20 나노 초
패키지 / 케이스:
96-vfbga
메모리구성:
64M Ｘ 16
작동 온도:
0' Ｃ ~ 95' Ｃ (TC)
기술:
SDRAM - DDR3L
기본 제품 번호:
W631GU6
메모리 포맷:
DRAM
소개
SDRAM - DDR3L 메모리 IC 1Gbit 병렬 667 MHz 20 ns 96-VFBGA (7.5x13)
관련 제품
| 이미지 | 부분 # | 설명 | |
|---|---|---|---|
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W631GG8NB-11 TR |
IC DRAM 1GBIT SSTL 15 78VFBGA
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주식:
10000
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