IXYS
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소개
IXYS
IXYS 코퍼레이션의 전력 반도체 생산은 전력 MOS (금속 산화물-실리콘) 트랜지스터와 전력 양극성으로 구성됩니다.이 제품 시리즈는 정규 전력으로 고전압 또는 전류를 변환이 회사의 통합 회로 생산은 통신의 아날로그, 혼합 신호 및 디지털 인터페이스 솔루션, 예를 들어 솔리드 스테이트 릴레 (SSR), 라인 카드 액세스 스위치 (LCAS) 에 사용됩니다.,리텔링크TM. RF 파워 반도체는 증폭 또는 수신을 위해 높은 속도로 전기를 변환합니다. 또한 IXYS는 레이저 다이오드 드라이버, 직접 구리 결합 (DCB) 을 제공합니다.
가장 새로운 제품
| 이미지 | 부분 # | 설명 | 제조 업체 | 주식 | RFQ | |
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IXGN200N60A |
IGBT MOD 600V 200A 600W SOT227B
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IXGN100N170 |
IGBT MOD 1700V 160A 735W SOT227B
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IXDN75N120 |
IGBT 모드 1200V 150A 660W SOT227B
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MIEB101H1200EH |
IGBT 모듈 1200V 183A 630W E3
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VKI75-06P1 |
IGBT 모드 600V 69A 208W ECO-PAC2
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MDI145-12A3 |
IGBT 모듈 1200V 160A 700W Y4M5
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MCC72-18io8B |
이산 반도체 모듈 72Amps 1800V
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MCD44-14io8B |
이산 반도체 모듈 44Amps 1400V
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MCD250-08io1 |
이산 반도체 모듈 250Amps 800V
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MCC26-14io8B |
이산 반도체 모듈 26Amps 1400V
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MDD44-14N1B |
이산 반도체 모듈 44Amps 1400V
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VKM40-06P1 |
디스크리트 반도체 모듈 40Amp 600V
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MCD72-18io8B |
이산 반도체 모듈 72Amps 1800V
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MCD310-16io1 |
이산 반도체 모듈 310Amps 1600V
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ZY250 |
디스크리트 반도체 모듈
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MUBW30-12A6K |
이산 반도체 모듈 30Amps 1200V
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MDD26-18N1B |
이산 반도체 모듈 26Amps 1800V
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MCC72-12io1B |
디스크리트 반도체 모듈 STANDARD SCR 1200V, 72A
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MWI200-06A8 |
이산 반도체 모듈 NPT IGBT 600V, 200A
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MCC72-12io8B |
이산 반도체 모듈 72Amps 1200V
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MCC250-12io1 |
이산 반도체 모듈 250Amps 1200V
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IXGH17N100AU1 |
IGBT 트랜지스터 17Amps 1000V
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IXGK82N120B3 |
IGBT 트랜지스터 GenX3 1200V IGBT
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IXGH40N120B2D1 |
IGBT 트랜지스터 IGBT 다이오드 1200V, 75A
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IXGH15N120CD1 |
IGBT 트랜지스터 30 Amps 1200V 3.8 Rds
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IXGX40N120BD1 |
IGBT 트랜지스터 75 Amps 1200V 3.3 Rds
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IXGH40N120C3D1 |
IGBT 트랜지스터 75Amps 1200V
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IXGH48N60A3D1 |
IGBT 트랜지스터 G-SERIES A3/B3/C3 GENX3 IGBT 600V 48A
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IXGX120N120B3 |
IGBT 트랜지스터 15khz-40khz 전원 장치
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IXGA15N120B |
IGBT 트랜지스터 30 Amps 1200V 3.2 Rds
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