IXDN75N120
제조 업체:
IXYS
설명:
IGBT 모드 1200V 150A 660W SOT227B
분류:
반도체
사양
분류:
개별 반도체 제품 트랜지스터 IGBT IGBT 모듈
경향 - 수집기 (Ic) (맥스):
150 A
제품 상태:
액티브
장착형:
섀시 마운트
패키지:
튜브
시리즈:
-
패키지 / 케이스:
SOT-227-4, 미니브로크
프게, Ic에 있는 (맥스) (의) 프스:
27V @ 15V, 75A
전압 - 수집기 방출기 고장 (맥스):
1200 Ｖ
공급자의 장치 패키지:
SOT-227B
Mfr:
IXYS
작동 온도:
-40' Ｃ ~ 150' Ｃ (TJ)
경향 - 집전기 절단 (맥스):
4 마
IGBT는 타이핑합니다:
NPT
전원 - 맥스:
660 Ｗ
입력:
표준
프스에 있는 입력 커패시턴스 (CIE):
5.5nF @ 25V
구성:
싱글
NTC 서미스터:
아니
기본 제품 번호:
IXDN75
소개
IGBT 모듈 NPT 단일 1200 V 150 A 660 W 체시 마운트 SOT-227B
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