PEMB10,115
제조 업체:
넥스페리아 미국 Inc.
분류:
반도체
사양
분류:
개별 반도체 제품 트랜지스터 양극성(BJT) 양극성 트랜지스터 어레이, 사전 바이어스됨
경향 - 수집기 (Ic) (맥스):
100mA
제품 상태:
새로운 디자인 을 위한 것 이 아니다
트랜지스터형:
2 PNP 사전 바이어스됨(이중)
주파수 - 변화:
-
장착형:
표면 마운트
패키지:
테이프 & 롤 (TR)
절단 테이프 (CT)
디기 릴®
시리즈:
자동차, AEC-Q101
Ib, Ic에 있는 프스 포화 (맥스):
250μA에서 100mV, 5mA
전압 - 수집기 방출기 고장 (맥스):
50V
공급자의 장치 패키지:
SOT-666
저항기 - 토대 (R1):
2.2k옴
Mfr:
넥스페리아 미국 Inc.
저항기 - 방출기 베이스 (R2):
47kΩ
경향 - 집전기 절단 (맥스):
1uA
전원 - 맥스:
300mW
패키지 / 케이스:
SOT-563, SOT-666
Ic, 프스에 있는 직류 전류 이득 (hFE) (민):
100 @ 10mA, 5V
기본 제품 번호:
PEMB10
소개
사전 편향된 양극 트랜지스터 (BJT) 2 PNP 사전 편향된 (두중) 50V 100mA 300mW 표면 마운트 SOT-666
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| 이미지 | 부분 # | 설명 | |
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PUMD48115 |
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NHUMD9X |
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PBLS4003D,115 |
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PQMH13Z |
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PUMD10115 |
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PUMD12/DG/B4X |
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PUMD17115 |
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PUMD15,115 |
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NHUMH1X |
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PUMH1/DG/B3115 |
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NHUMB9F |
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PEMH14,115 |
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PUMH13,115 |
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PUMH9,125 |
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