사양
분류:
개별 반도체 제품 트랜지스터 양극성(BJT) 양극성 트랜지스터 어레이, 사전 바이어스됨
경향 - 수집기 (Ic) (맥스):
500mA, 100mA
제품 상태:
액티브
트랜지스터형:
NPN 1개 - 사전 바이어스됨, PNP 1개
주파수 - 변화:
260MHz, 250MHz
장착형:
표면 마운트
패키지:
대용품
시리즈:
-
Ib, Ic에 있는 프스 포화 (맥스):
250mV @ 10mA, 200mA / 300mV @ 500μA, 10mA
전압 - 수집기 방출기 고장 (맥스):
12V, 50V
공급자의 장치 패키지:
SOT-363
저항기 - 토대 (R1):
10k옴
Mfr:
극소 상업적 Co
저항기 - 방출기 베이스 (R2):
10k옴
경향 - 집전기 절단 (맥스):
100nA(ICBO), 500nA
전원 - 맥스:
150mW
패키지 / 케이스:
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Ic, 프스에 있는 직류 전류 이득 (hFE) (민):
270 @ 10mA, 2V / 30 @ 5mA, 5V
기본 제품 번호:
UMF21
소개
사전 편향된 양극 트랜지스터 (BJT) 1 NPN - 사전 편향된 1 PNP 12V, 50V 500mA, 100mA 260MHz, 250MHz 150mW 표면 마운트 SOT-363
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