사양
분류:
개별 반도체 제품 트랜지스터 양극성(BJT) 양극성 트랜지스터 어레이
경향 - 수집기 (Ic) (맥스):
2A
제품 상태:
구식
트랜지스터형:
4 NPN 달링턴(쿼드)
장착형:
구멍을 통해
주파수 - 변화:
-
패키지:
대용품
시리즈:
-
Ib, Ic에 있는 프스 포화 (맥스):
1.5V @ 2mA, 1A
전압 - 수집기 방출기 고장 (맥스):
100V
공급자의 장치 패키지:
10-SIP
Mfr:
Sanken Electric USA Inc.
경향 - 집전기 절단 (맥스):
10μA(ICBO)
전원 - 맥스:
4W
패키지 / 케이스:
10-SIP
작동 온도:
150' C (TJ)
Ic, 프스에 있는 직류 전류 이득 (hFE) (민):
2000 @ 1A, 4V
기본 제품 번호:
STA475
소개
양극 (BJT) 트랜지스터 배열 4 NPN 다링턴 (쿼드) 100V 2A 4W 홀 10-SIP을 통해
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SMA5106
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이미지 | 부분 # | 설명 | |
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STA431A |
TRANS 2NPN/2PNP 60V 3A 10SIP
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SLA4060 |
TRANS 4NPN DARL 120V 5A 12SIP
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STA473A |
TRANS 4NPN DARL 100V 2A 10-SIP
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STA413A |
TRANS 4NPN 35V 3A 10-SIP
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SMA5106 |
TRANS 4NPN DARL 120V 5A
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