MMDT4413
제조 업체:
양지에기술
설명:
트랜지스터 - 양극성(BJT) - Si
분류:
반도체
사양
분류:
개별 반도체 제품 트랜지스터 양극성(BJT) 양극성 트랜지스터 어레이
경향 - 수집기 (Ic) (맥스):
600mA
제품 상태:
액티브
트랜지스터형:
NPN, PNP
장착형:
표면 마운트
주파수 - 변화:
250MHz, 200MHz
패키지:
테이프 & 롤 (TR)
시리즈:
-
Ib, Ic에 있는 프스 포화 (맥스):
750mV @ 50mA, 500mA
전압 - 수집기 방출기 고장 (맥스):
40V
공급자의 장치 패키지:
SOT-363
Mfr:
양지에기술
경향 - 집전기 절단 (맥스):
100nA (ICBO)
전원 - 맥스:
200 밀리와트
패키지 / 케이스:
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
작동 온도:
-55' Ｃ ~ 150' Ｃ (TJ)
Ic, 프스에 있는 직류 전류 이득 (hFE) (민):
150mA, 1V에 있는 100
기본 제품 번호:
MMDT44
소개
양극 (BJT) 트랜지스터 배열 NPN, PNP 40V 600mA 250MHz, 200MHz 200mW 표면 마운트 SOT-363
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