사양
분류:
개별 반도체 제품 트랜지스터 양극(BJT) 양극 RF 트랜지스터
경향 - 수집기 (Ic) (맥스):
500mA
제품 상태:
구식
트랜지스터형:
NPN
주파수 - 변화:
175MHz
패키지:
대용품
시리즈:
-
전압 - 수집기 방출기 고장 (맥스):
16V
Mfr:
마이크로세미
소음 지수 (F에 있는 dB Typ):
-
이득:
11.5dB
전원 - 맥스:
3W
작동 온도:
-
Ic, 프스에 있는 직류 전류 이득 (hFE) (민):
30 @ 250mA, 5V
소개
RF 트랜지스터 NPN 16V 500mA 175MHz 3W
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