사양
분류:
개별 반도체 제품 트랜지스터 양극(BJT) 양극 RF 트랜지스터
경향 - 수집기 (Ic) (맥스):
40mA
제품 상태:
액티브
트랜지스터형:
NPN
장착형:
표면 마운트
주파수 - 변화:
11GHz
패키지:
테이프 & 롤 (TR)
시리즈:
-
전압 - 수집기 방출기 고장 (맥스):
12V
공급자의 장치 패키지:
SOT-143B
Mfr:
NXP 미국 Inc.
소음 지수 (F에 있는 dB Typ):
1.1dB @ 1.8GHz
전원 - 맥스:
450mW
이득:
15.5dB
패키지 / 케이스:
TO-253-4, TO-253AA
작동 온도:
-40' C ~ 150' C (TJ)
Ic, 프스에 있는 직류 전류 이득 (hFE) (민):
60 @ 10mA, 8V
기본 제품 번호:
BFU530
소개
RF 트랜지스터 NPN 12V 40mA 11GHz 450mW 표면 마운트 SOT-143B
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이미지 | 부분 # | 설명 | |
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BFS520,135 |
RF TRANS NPN 15V 9GHZ SOT323-3
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BLT80,115 |
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BFG505/X215 |
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