사양
분류:
개별 반도체 제품 트랜지스터 양극(BJT) 양극 RF 트랜지스터
경향 - 수집기 (Ic) (맥스):
100mA
제품 상태:
액티브
트랜지스터형:
NPN
장착형:
표면 마운트
주파수 - 변화:
6.7GHz
패키지:
테이프 & 롤 (TR)
절단 테이프 (CT)
디기 릴®
시리즈:
-
전압 - 수집기 방출기 고장 (맥스):
12V
공급자의 장치 패키지:
6-cph
Mfr:
반
소음 지수 (F에 있는 dB Typ):
1.1dB @ 1GHz
전원 - 맥스:
800mW
이득:
11dB
패키지 / 케이스:
SOT-23-6 씬, TSOT-23-6
작동 온도:
150' C (TJ)
Ic, 프스에 있는 직류 전류 이득 (hFE) (민):
90 @ 30mA, 5V
기본 제품 번호:
CPH6001
소개
RF 트랜지스터 NPN 12V 100mA 6.7GHz 800mW 표면 장착 6-CPH
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이미지 | 부분 # | 설명 | |
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