NFAQ0560R43T
제조 업체:
반
설명:
MOSFET N/P-CH
분류:
분리된 반도체 제품
사양
분류:
이산 반도체 제품 전력 드라이버 모듈
종류:
IGBT
제품 상태:
액티브
장착형:
구멍을 통해
패키지:
대용품
시리즈:
-
Mfr:
반
전압:
600 Ｖ
패키지 / 케이스:
38-PowerDIP 모듈(0.610", 24.00mm), 24리드
구성:
3 위상 반전기
전압 - 차단:
2000Vrms
소개
전력 드라이버 모듈 IGBT 3단계 인버터 600V 38-PowerDIP 모듈 (0.610", 24.00mm), 24 리드
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