W9812G2KB-6
제조 업체:
윈본드 전자공학
설명:
IC DRAM 128M PARALLEL 90TFBGA
분류:
집적 회로 IC
사양
기술 ::
SDRAM
상품 카테고리 ::
메모리 ics
기억 영역형 ::
휘발성 물질
공장 재고 ::
0
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지::
-
공급자 소자 패키지 ::
90-tfbga (8x13)
엑세스 시간 ::
5 나노 초
메모리 형식::
DRAM
상태 부분 ::
액티브
메모리 용량 ::
128MB (4M x 32)
포장::
트레이
수량에 ::
0
작동 온도 ::
0°C ~ 70°C (TA)
최소 수량 ::
240
메모리 인터페이스::
대비
패키지 / 케이스::
90-tfbga
증가하는 타입 ::
표면 마운트
클록 주파수::
166MHz
전압 - 공급 ::
3 Ｖ ~ 3.6 Ｖ
시리즈 ::
-
제조사::
윈본드 전자공학
소개
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