STGF3NC120HD
제조 업체:
STM이크로전자
설명:
IGBT 트랜지스터 N-Ch 1200 Volt 3 Amp
분류:
반도체
사양
게이트 이미터 누설 전류::
+/- 100nA
상품 카테고리 ::
IGBT 트랜지스터
장착 스타일::
구멍을 통해
25C에서의 연속 컬렉터 전류::
6 A
Pd - 전력 소모 ::
25w
콜렉터-이미터 전압 VCEO 최대::
1200 Ｖ
패키지 / 케이스::
TO-220-3 FP
최대 작동 온도::
+ 150 Ｃ
최대 게이트 이미터 전압::
+/- 20 Ｖ
포장::
튜브
구성 ::
싱글
컬렉터-이미터 포화 전압::
2.8 Ｖ
제조사::
STM이크로전자
소개
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| 이미지 | 부분 # | 설명 | |
|---|---|---|---|
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STGW25M120DF3 |
IGBT Transistors IGBT & Power Bipolar
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