NGTB40N120S3WG
제조 업체:
반
설명:
IGBT 트랜지스터 IGBT 1200V 40A FS3 낮은 VF
분류:
반도체
사양
게이트 이미터 누설 전류::
200 nA
상품 카테고리 ::
IGBT 트랜지스터
장착 스타일::
구멍을 통해
25C에서의 연속 컬렉터 전류::
160 A
Pd - 전력 소모 ::
454 Ｗ
콜렉터-이미터 전압 VCEO 최대::
1.2 kV
패키지 / 케이스::
TO-247-3
최대 작동 온도::
+ 175 Ｃ
최대 게이트 이미터 전압::
+/- 20 Ｖ
포장::
튜브
구성 ::
싱글
컬렉터-이미터 포화 전압::
2.3 Ｖ
제조사::
반
소개
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