IRFU5410PBF
제조 업체:
인피니온 테크놀로지
설명:
MOSFET MOSFT P-Ch -100V -13A 205m옴 38.7nC
분류:
반도체
사양
트랜지스터 극성::
P-채널
기술 ::
Si
상품 카테고리 ::
MOSFET
장착 스타일::
구멍을 통해
패키지 / 케이스::
TO-251-3
Vds - 드레인 소스 항복 전압::
- 100V
포장::
튜브
Id - 연속 드레인 전류::
- 13A
Rds On - 드레인 소스 저항::
205mOhms
채널 수 ::
1개 채널
Vgs - 게이트 소스 전압::
20 Ｖ
Qg - 게이트 요금::
38.7 nC
제조사::
인피니온 테크놀로지
소개
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