SIHF23N60E-GE3
제조 업체:
비샤이 반도체
설명:
MOSFET 600V 158mOhm@10V 23A N-Ch E-SRS
분류:
반도체
사양
기술 ::
Si
상품 카테고리 ::
MOSFET
상표명 ::
트렌치FET
패키지 / 케이스::
TO-220-3
포장::
튜브
제조사::
비샤이 반도체
소개
비샤이 반도체의 SIHF23N60E-GE3는 MOSFET입니다. 우리가 제공하는 것은 글로벌 시장에서 경쟁력있는 가격으로,상품에 대해 더 많이 알고 싶거나 저렴한 가격을 신청하면, 온라인 채팅을 통해 저희에게 연락하거나 우리에게 요금을 보내십시오!
관련 제품
SUD50N06-09L-E3
MOSFET 60V 50A 136W 9.3mohm @ 10V
SIS472DN-T1-GE3
MOSFET 30 Volts 20 Amps 28 Watts
SQJ850EP-T1_GE3
MOSFET 60V 24A 45W AEC-Q101 Qualified
SIS892ADN-T1-GE3
MOSFET 100V 33mOhm@10V 28A N-Ch MV T-FET
| 이미지 | 부분 # | 설명 | |
|---|---|---|---|
|
|
SUD50N06-09L-E3 |
MOSFET 60V 50A 136W 9.3mohm @ 10V
|
|
|
|
SIS472DN-T1-GE3 |
MOSFET 30 Volts 20 Amps 28 Watts
|
|
|
|
SQJ850EP-T1_GE3 |
MOSFET 60V 24A 45W AEC-Q101 Qualified
|
|
|
|
SIS892ADN-T1-GE3 |
MOSFET 100V 33mOhm@10V 28A N-Ch MV T-FET
|
가격 요구를 보내세요
주식:
MOQ: