IRF6646TR1
제조 업체:
인피니온 테크놀로지
설명:
MOSFET N-CH 80V 12A DIRECTFET
분류:
반도체
사양
상품 카테고리 ::
MOSFET
Vgs(최대)::
±20V
전류 - 연속 배수(Id) @ 25°C::
12A (Ta), 68A (Tc)
수량에 ::
0
FET 유형::
엔-채널
증가하는 타입 ::
표면 마운트
게이트 충전(Qg)(최대) @ Vgs::
50nC @ 10V
제조사::
인피니온 테크놀로지
최소 수량 ::
1000
구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐)::
10V
공장 재고 ::
0
작동 온도 ::
-40' Ｃ ~ 150' Ｃ (TJ)
FET 특징::
-
시리즈 ::
HEXFET®
입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds::
2060pF @ 25V
공급자 소자 패키지 ::
DIRECTFETTM MN
상태 부분 ::
구식
포장::
테이프 & ; 릴 (TR)
Rds On(최대) @ Id, Vgs::
9.5mOhm @ 12A, 10V
전력 소비(최대)::
2.8W (Ta), 89W (Tc)
패키지 / 케이스::
DirectFETTM 이조메트릭 MN
기술 ::
MOSFET (금속 산화물)
Vgs(th)(최대) @ Id::
4.9V @ 150μA
드레인-소스 전압(Vdss)::
80V
소개
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