FDS4685
제조 업체:
반
설명:
MOSFET P-CH 40V 8.2A 8SOIC
분류:
반도체
사양
상품 카테고리 ::
MOSFET
Vgs(최대)::
±20V
전류 - 연속 배수(Id) @ 25°C::
8.2A (Ta)
@ qty ::
0
FET 유형::
P-채널
증가하는 타입 ::
표면 마운트
게이트 충전(Qg)(최대) @ Vgs::
27nC @ 5V
제조사::
반
최소 수량 ::
2500
구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐)::
4.5V, 10V
Factory Stock ::
0
작동 온도 ::
-55' Ｃ ~ 150' Ｃ (TJ)
FET 특징::
-
시리즈 ::
PowerTrench®
입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds::
1872pF @ 20V
공급자 소자 패키지 ::
8-SOIC
상태 부분 ::
액티브
포장::
테이프 & ; 릴 (TR)
Rds On(최대) @ Id, Vgs::
27m옴 @ 8.2A, 10V
전력 소비(최대)::
2.5W (Ta)
패키지 / 케이스::
8-soic (0.154" ;3.90 밀리미터 폭)
기술 ::
MOSFET (금속 산화물)
Vgs(th)(최대) @ Id::
250uA에 있는 3V
드레인-소스 전압(Vdss)::
40V
소개
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