사양
상품 카테고리 ::
MOSFET
Vgs(최대)::
±8V
전류 - 연속 배수(Id) @ 25°C::
11A (Ta)
@ qty ::
0
FET 유형::
엔-채널
증가하는 타입 ::
표면 마운트
게이트 충전(Qg)(최대) @ Vgs::
50.6nC @ 8V
제조사::
다이오드 인코어레이트
최소 수량 ::
3000
구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐)::
1.2V, 4.5V
Factory Stock ::
0
작동 온도 ::
-55' C ~ 150' C (TJ)
FET 특징::
-
시리즈 ::
-
입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds::
2425pF @ 10V
공급자 소자 패키지 ::
U-DFN2020-6(E형)
상태 부분 ::
액티브
포장::
테이프 & ; 릴 (TR)
Rds On(최대) @ Id, Vgs::
10mOhm @ 9.7A, 4.5V
전력 소비(최대)::
690mW(타)
패키지 / 케이스::
6-UDFN 노출된 패드
기술 ::
MOSFET (금속 산화물)
Vgs(th)(최대) @ Id::
250μA에서 800mV
드레인-소스 전압(Vdss)::
12V
소개
DMN1019UFDE-7, 다이오드 인코퍼레이티에서, MOSFET입니다. 우리가 제공하는 것은 글로벌 시장에서 경쟁력있는 가격으로, 원래와 새로운 부품입니다.상품에 대해 더 많이 알고 싶거나 저렴한 가격을 신청하면, 온라인 채팅을 통해 저희에게 연락하거나 우리에게 요금을 보내십시오!
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