사양
트랜지스터 극성::
엔-채널
기술 ::
Si
Id - 연속 드레인 전류::
10 A
장착 스타일::
구멍을 통해
상표명 ::
폴라르HV
최소 작동 온도::
- 55 C
패키지 / 케이스::
TO-220-3
최대 작동 온도::
+ 150 C
채널 모드::
향상
Vds - 드레인 소스 항복 전압::
600 V
포장::
튜브
Vgs th - 게이트 소스 임계값 전압::
5 V
상품 카테고리 ::
MOSFET
Rds On - 드레인 소스 저항::
740m옴
채널 수 ::
1개 채널
Vgs - 게이트 소스 전압::
30V
Qg - 게이트 요금::
32 nC
제조사::
IXYS
소개
IXYS의 IXTP10N60P는 MOSFET입니다. 우리가 제공하는 것은 글로벌 시장에서 경쟁력있는 가격으로,상품에 대해 더 많이 알고 싶거나 저렴한 가격을 신청하면, 온라인 채팅을 통해 저희에게 연락하거나 우리에게 요금을 보내십시오!
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이미지 | 부분 # | 설명 | |
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IXTT500N04T2 |
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IXFR30N50Q |
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IXFH44N50Q3 |
MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 500V/44A
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