사양
상품 카테고리 ::
MOSFET
Vgs(최대)::
±20V
전류 - 연속 배수(Id) @ 25°C::
8.7A(Tc)
수량에 ::
0
FET 유형::
엔-채널
증가하는 타입 ::
구멍을 통해
게이트 충전(Qg)(최대) @ Vgs::
32nC @ 10V
제조사::
인피니온 테크놀로지
최소 수량 ::
500
구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐)::
10V
공장 재고 ::
0
작동 온도 ::
-55' C ~ 150' C (TJ)
FET 특징::
-
시리즈 ::
쿨모스트텀
입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds::
870pF @ 100V
공급자 소자 패키지 ::
PG-TO220 전신찜질
상태 부분 ::
액티브
포장::
튜브
Rds On(최대) @ Id, Vgs::
420m옴 @ 3.4A, 10V
전력 소비(최대)::
31.2W(Tc)
패키지 / 케이스::
TO-220-3 전신찜질
기술 ::
MOSFET (금속 산화물)
Vgs(th)(최대) @ Id::
4.5V @ 340μA
드레인-소스 전압(Vdss)::
650V
소개
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